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AO4456中文資料萬國半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AO4456
廠商型號

AO4456

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

250.33 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡稱

AOSMD萬國半導體

中文名稱

美國萬國半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-31 14:22:00

AO4456規(guī)格書詳情

General Description

The AO4456 uses advanced trench technology with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is suitable for use as a low side FET in SMPS, load switching and general purpose applications. Standard Product AO4456 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4456 is a Green Product ordering option. AO4456 and AO4456 are electrically identical.

Features

VDS (V) = 30V

ID =20A (VGS = 10V)

RDS(ON) < 4.6m? (VGS = 10V)

RDS(ON)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    AO4456

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    SRFET™

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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