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AO4441中文資料翊歐數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

AO4441
廠商型號(hào)

AO4441

功能描述

-60V P-Channel MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

AO4441

封裝外殼

SOP-8

文件大小

569.37 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

EVVOSEMI翊歐

中文名稱(chēng)

翊歐半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-28 9:30:00

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AO4441規(guī)格書(shū)詳情

General Description

The AO4441 uses advanced trench technology to provide

excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge. This

device is suitable for use as a load switch or in PWM

applications.

Features

ID = -4A (VGS =-10V)

VDS (V) =-60V

RDS(ON)< 130m? (VGS =-4.5V)

RDS(ON)< 100m? (VGS =-10V)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    AO4441

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 60V 4A 8-SOIC

  • RoHS:

  • 類(lèi)別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門(mén)

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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