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AO4433中文資料萬國半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AO4433
廠商型號

AO4433
功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
文件大小

489.51 Kbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡稱

AOSMD【萬國半導體】

中文名稱

美國萬國半導體官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-1-26 23:00:00

AO4433規(guī)格書詳情

General Description

The AO4433 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate charge with a 25V gate rating. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. The device is ESD protected. Standard product AO4433 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4433L is a Green Product ordering option. AO4433 and AO4433L are electrically identical.

Features

VDS (V) = -30V

ID = -11 A (VGS = -20V)

RDS(ON) < 14m? (VGS = -20V)

RDS(ON) < 18m? (VGS = -10V)

ESD Rating: 1.5KV HBM

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    AO4433

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH -30V -11A 8-SOIC

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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