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AP4957AGM	文件：184.4 Kbytes Page：5 Pages	LowOn-Resistance,SimpleDriveRequirement Description AdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,ultralowon-resistanceandcost-effectiveness. ▼LowOn-Resistance ▼SimpleDriveRequirement ▼DualPMOSFETPackage	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP4957GM	文件：72.42 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheAdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,ultralowon-resistanceandcost-effectiveness. ▼LowOn-Resistance ▼SimpleDriveRequirement ▼DualPMOSFETPackage	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP4957GM	文件：544.32 Kbytes Page：4 Pages	DualP-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半導體有限公司	DOINGTER
AP4957GM-HF	文件：68.58 Kbytes Page：5 Pages	SimpleDriveRequirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP4957M	文件：69.42 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheAdvancedPowerMOSFETsfromAPECprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,ultralowon-resistanceandcost-effectiveness. ▼LowOn-Resistance ▼SimpleDriveRequirement ▼DualPMOSFETPackage	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
B4957	文件：137.09 Kbytes Page：7 Pages	SAWComponentsLow-LossFilterforMobileCommunication128,1MHz	EPCOSepcos 愛普科斯	EPCOS
BD4957	文件：433.03 Kbytes Page：18 Pages	StandardCMOSVoltageDetectorIC Description ROHM’sBD48□□G/FVEandBD49□□G/FVEseriesarehighlyaccurate,lowcurrentconsumptionresetICseries.Thelineupwasestablishedwithtowoutputtypes(NchopendrainandCMOSoutput)anddetectionvoltagesrangefrom2.3Vto6.0Vinincrementsof0.1V,sothattheseriesmaybesel	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
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BD4957	文件：269.09 Kbytes Page：10 Pages	StandardCMOSVoltageDetectorIC	ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團	ROHM
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