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AIMZHN120R160M1T

CoolSiC? 1200 V SiC Trench MOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=-55...175°C ?IDDC=17AatTC=25°C ?RDS(on)=160mΩatVGS=20V,Tvj=25°C ?Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*AFOM ?Increasedrecommendedturn-onvoltage(VGS(on)=20V)forlowerRDS(on) ?Bestinclassswit

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AIMBG120R160M1

CoolSiC?1200VSiCTrenchMOSFET:SiliconCarbideMOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=-55...175°C ?IDDC=17AatTC=25°C ?RDS(on)=160mΩatVGS=20V,Tvj=25°C ?Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*A ?Bestinclassswitchingenergyforlowerswitchinglossesandreducedcoolingefforts ?Lowestde

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AIMCQ120R160M1T

CoolSiC?AutomotiveMOSFET1200VinHDSOP-22-3package

Features ?VDSS=1200VatTvj=-55...175°C ?IDDC=18.6AatTC=25°C ?RDS(on)=160mΩatVGS=20V,Tvj=25°C ?Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*A ?Bestinclassswitchingenergyforlowerswitchinglossesandreducedcoolingefforts ?Lowest

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AIMZH120R160M1T

CoolSiC?1200VSiCTrenchMOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=-55...175°C ?IDDC=17AatTC=25°C ?RDS(on)=160mΩatVGS=20V,Tvj=25°C ?Newperformance-optimizedchiptechnology(Gen1p)withimprovedRDSon*AFOM ?Increasedrecommendedturn-onvoltage(VGS(on)=20V)forlowerRDS(on) ?Bestinclassswit

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更多AIMZHN120R160M1T供應(yīng)商 更新時間2025-1-7 15:29:00