AFGY100T65SPD_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號(hào):AFGY100T65SPD品牌:onsemi

資料說(shuō)明:IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR

AFGY100T65SPD是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商O(píng)NSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-247-3的AFGY100T65SPD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào):

    afgy100t65spd

  • 規(guī)格書(shū):

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說(shuō)明:

    IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    AFGY100T65SPD

  • 制造商:

    onsemi

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類(lèi)型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.05V @ 15V,100A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    5.1mJ(開(kāi)),2.7mJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    36ns/78ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,100A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
onsemi/安森美
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onsemi(安森美)
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晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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ON(安森美)
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公司只做原裝正品,假一賠十
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進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨
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ON/安森美
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原裝正品現(xiàn)貨,實(shí)單可談,量大價(jià)優(yōu)
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ON Semiconductor
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SMD
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