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首頁(yè)>AFGHL50T65SQDC>芯片詳情
AFGHL50T65SQDC 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
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原廠料號(hào):AFGHL50T65SQDC品牌:ON
ON全系列可訂貨
AFGHL50T65SQDC是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商O(píng)N/onsemi生產(chǎn)封裝TO-247-3LD/TO-247-3的AFGHL50T65SQDC晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類(lèi)型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
AFGHL50T65SQDC
- 制造商:
onsemi
- 類(lèi)別:
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包裝:
管件
- IGBT 類(lèi)型:
場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,50A
- 開(kāi)關(guān)能量:
131μJ(開(kāi)),96μJ(關(guān))
- 輸入類(lèi)型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
17.6ns/94.4ns
- 測(cè)試條件:
400V,12.5A,4.7 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247-3
- 描述:
IGBT 650V A
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市星辰微電科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
吳先生
- 手機(jī):
17375148621
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-82713279
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)紅荔路3011號(hào)上步工業(yè)區(qū)13棟上步工業(yè)區(qū)501棟501棟411
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