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ADS065J020E3

3 rd Generation 650V /20A SiC Schottky Barrier Diode

AECQ101qualified RevolutionarysemiconductormaterialSiliconCarbide(SiC) Noreverserecovery Highspeedswitchingperformance Temperatureindependentswitchingbehavior Systemcost/sizesavingsduetoreducedcoolingrequirements Junctiontemperaturerangefrom55to175 RoHScomp

SANANSanan Optoelectronics Co., Ltd

三安半導體三安光電股份有限公司

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更多ADS065J020E3供應商 更新時間2025-1-20 19:06:00

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