ADM8N20E中文資料愛德微數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
ADM8N20E |
| 功能描述 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | TO-252 |
| 文件大小 |
340.3 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Advanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ADV【愛德微】 |
| 中文名稱 | 愛德微(深圳)電子有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-25 16:38:00 |
ADM8N20E規(guī)格書詳情
Features:
● Low Gate Charge for Fast Switching Application
● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss
● 100% EAS Guaranteed
● Optimized V(BR)DSS Ruggedness
● Lead-Free,RoHS Compliant
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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