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ADM200N04Q中文資料愛(ài)德微數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

ADM200N04Q
廠商型號(hào)

ADM200N04Q

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

987.71 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Advanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ADV愛(ài)德微

中文名稱

愛(ài)德微(深圳)電子有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-4 17:48:00

ADM200N04Q規(guī)格書詳情

Features:

● Low Gate Charge for Fast Switching Application

● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss

● 100% EAS Guaranteed

● Optimized V(BR)DSS Ruggedness

● Lead-Free,RoHS Compliant

Description:

The ADM200N04Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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