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ADXRS610	文件：714.94 Kbytes Page：12 Pages	?300?/secYawRateGyro	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
ADXRS610BBGZ	文件：714.94 Kbytes Page：12 Pages	?300?/secYawRateGyro	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
ADXRS610BBGZ-RL	文件：714.94 Kbytes Page：12 Pages	?300?/secYawRateGyro	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
AEP610-T	文件：43.94 Kbytes Page：1 Pages	ADSLTransformersforLucentChipsets	TALEMA Talema Group LLC	TALEMA
AN610	文件：1.19919 Mbytes Page：17 Pages	PolarPAKSolderJointReliabilityBasedonThermalFatigueIPC-9701	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
AN610	文件：82.28 Kbytes Page：9 Pages	Usingthe24LC21DualModeSerialEEPROM	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
AN610	文件：1.80332 Mbytes Page：71 Pages	Si48XXATDDPROGRAMMINGGUIDE	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
AOP610	文件：145.24 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOP610usesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedtoformalevelshiftedhighsideswitch,andforahostofotherapplications.ASchottkydiodeinparallelwiththen-channelFETredu	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOP610L	文件：145.24 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOP610usesadvancedtrenchtechnologyMOSFETstoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsmaybeusedtoformalevelshiftedhighsideswitch,andforahostofotherapplications.ASchottkydiodeinparallelwiththen-channelFETredu	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AQW610EH	文件：48.58 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOSRELAYS PhotoMOSRELAYS FEATURES 1.Reinforcedinsulation5,000Vtype Morethan0.4mminternalinsulationdistancebetweeninputsandoutputs.ConformstoEN41003,EN60950(reinforcedinsulation). 2.Compact8-pinDIPsize Thedevicecomesinacompact(W)6.4×(L)9.86×(H)3.2mm(W	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下電器松下電器機(jī)電(中國(guó))有限公司	NAIS
AQW610EH	文件：88.69 Kbytes Page：4 Pages	BothNOandNCcontactsincorporatedinacompactDIP8-pinReinforcedinsulation FEATURES 1.60Vtypecoupleshighcapacity(0.5A)withlowon-resistance(typ.1?). 2.Reinforcedinsulation5,000V Morethan0.4mminternalinsulationdistancebetweeninputsandoutputs.ConformstoEN41003,EN60950(reinforcedinsulation). 3.Aprrox.1/2thespacecomparedwithth	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下電器	Panasonic
AQW610EHA	文件：48.58 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOSRELAYS PhotoMOSRELAYS FEATURES 1.Reinforcedinsulation5,000Vtype Morethan0.4mminternalinsulationdistancebetweeninputsandoutputs.ConformstoEN41003,EN60950(reinforcedinsulation). 2.Compact8-pinDIPsize Thedevicecomesinacompact(W)6.4×(L)9.86×(H)3.2mm(W	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下電器松下電器機(jī)電(中國(guó))有限公司	NAIS
AQW610EHA	文件：88.69 Kbytes Page：4 Pages	BothNOandNCcontactsincorporatedinacompactDIP8-pinReinforcedinsulation FEATURES 1.60Vtypecoupleshighcapacity(0.5A)withlowon-resistance(typ.1?). 2.Reinforcedinsulation5,000V Morethan0.4mminternalinsulationdistancebetweeninputsandoutputs.ConformstoEN41003,EN60950(reinforcedinsulation). 3.Aprrox.1/2thespacecomparedwithth	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下電器	Panasonic
AQW610EHAX	文件：48.58 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOSRELAYS PhotoMOSRELAYS FEATURES 1.Reinforcedinsulation5,000Vtype Morethan0.4mminternalinsulationdistancebetweeninputsandoutputs.ConformstoEN41003,EN60950(reinforcedinsulation). 2.Compact8-pinDIPsize Thedevicecomesinacompact(W)6.4×(L)9.86×(H)3.2mm(W	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下電器松下電器機(jī)電(中國(guó))有限公司	NAIS
AQW610EHAX	文件：88.69 Kbytes Page：4 Pages	BothNOandNCcontactsincorporatedinacompactDIP8-pinReinforcedinsulation FEATURES 1.60Vtypecoupleshighcapacity(0.5A)withlowon-resistance(typ.1?). 2.Reinforcedinsulation5,000V Morethan0.4mminternalinsulationdistancebetweeninputsandoutputs.ConformstoEN41003,EN60950(reinforcedinsulation). 3.Aprrox.1/2thespacecomparedwithth	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下電器	Panasonic
AQW610EHAZ	文件：48.58 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOSRELAYS PhotoMOSRELAYS FEATURES 1.Reinforcedinsulation5,000Vtype Morethan0.4mminternalinsulationdistancebetweeninputsandoutputs.ConformstoEN41003,EN60950(reinforcedinsulation). 2.Compact8-pinDIPsize Thedevicecomesinacompact(W)6.4×(L)9.86×(H)3.2mm(W	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下電器松下電器機(jī)電(中國(guó))有限公司	NAIS
AQW610EHAZ	文件：88.69 Kbytes Page：4 Pages	BothNOandNCcontactsincorporatedinacompactDIP8-pinReinforcedinsulation FEATURES 1.60Vtypecoupleshighcapacity(0.5A)withlowon-resistance(typ.1?). 2.Reinforcedinsulation5,000V Morethan0.4mminternalinsulationdistancebetweeninputsandoutputs.ConformstoEN41003,EN60950(reinforcedinsulation). 3.Aprrox.1/2thespacecomparedwithth	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下電器	Panasonic
AQW610S	文件：121.36 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOSRELAYS	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下電器松下電器機(jī)電(中國(guó))有限公司	NAIS
AQW610SX	文件：121.36 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOSRELAYS	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下電器松下電器機(jī)電(中國(guó))有限公司	NAIS
AQW610SZ	文件：121.36 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOSRELAYS	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下電器松下電器機(jī)電(中國(guó))有限公司	NAIS

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
ADCMP610BRJZ-RL
制造商：
Rochester Electronics LLC
制造商：
Analog Devices

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	ADCMP610BRJZ-RL	ADI(亞德諾)	23+	-	7793	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。	詢價(jià)
深圳市雙美芯科技有限公司	ADCMP610BRJZ-RL	ADI(亞德諾)	23+	-	7087	優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	ADCMP670	AD	23+	原廠原包	19960	只做進(jìn)口原裝終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市芯福林電子科技有限公司	ADCMP670	ADI/亞德諾	21+	原封裝	13880	公司只售原裝,支持實(shí)單	詢價(jià)
深圳市億智騰科技有限公司	ADCMP670	AD	24+	9000	5000	原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
博速半導(dǎo)體（深圳）有限公司	ADCMP670	ADI/亞德諾	22+		66900	原封裝	詢價(jià)
深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司	ADCMP670-1YUJZ	ADI		SOT23-6	450	正品原裝--自家現(xiàn)貨-實(shí)單可談	詢價(jià)
深圳宇航軍工半導(dǎo)體有限公司	ADCMP670-1YUJZ	ADI	19+	SOT23-6	61917	原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；	詢價(jià)
千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	ADCMP670-1YUJZ	ADI	2018+	SOT23-6	30000	ADI一級(jí)代理原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	ADCMP670-1YUJZ	ADI	2019+	SOT23-6	9760	一級(jí)代理/全新現(xiàn)貨/長(zhǎng)期供應(yīng)	詢價(jià)

更多ADCMP610BRJZ-RL供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-15 15:14:00

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