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ACPDQC3V3R-HF

SMD ESD Protection Diode

Features -Bi-directionalESDprotection. -Surfacemountpackage. -UltrasmallSMDpackage:0402C. -Highcomponentdensity. -AEC-Q101Qualified.

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

ACPDQC3V3R-HF

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:0402(1006 公制) 類別:電路保護 TVS - 二極管 描述:TVS DIODE 3.3VWM 18VC 0402C

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

ACPDQC3V3T-HF

SMDESDProtectionDiode

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

ACPDQC3V3U-HF

SMDESDProtectionDiode

Features -UltrasmallSMDpackage:0402C. -Uni-directionalESDprotection. -Surfacemountpackage. -Highcomponentdensity. -AEC-Q101Qualified.

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

ACPDZC3V3A-HF

SMDESDProtectionDiode

Features -Bi-directionalESDprotection. -Lowclampingvoltage. -Lowleakagecurrent. -IEC61000-4-2(ESD);±20KV(contact) -IEC61000-4-5(surge);Ipp=4A -UltrasmallSMDpackage. -AEC-Q101Qualified.

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

ACPDZC3V3HT-HF

SMDESDProtectionDiode

Features -UltrasmallSMDpackage:0201 -Lowclampingvoltage. -Lowleakagecurrent. -AEC-Q101Qualified.

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

BZT3V3

SILICONPLANARZENERDIODES

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導體先之科半導體科技(東莞)有限公司

BZT-RLZ3V3A

SILICONEPITAXIALPLANARZENERDIODES

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導體先之科半導體科技(東莞)有限公司

BZT-RLZ3V3B

SILICONEPITAXIALPLANARZENERDIODES

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導體先之科半導體科技(東莞)有限公司

BZX3V3

SILICONEPITAXIALPLANARTYPE

[DAIWA] Features: Verysharpreversecharacteristic Lowreversecurrentlevel Veryhighstability Lownoise Availablewithtightertolerances

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

BZX3V3

1.3WEPITAXIALZENERDIODE

FEATURES ?Lowprofilepackage ?Built-instrainrelief ?Lowinductance ?Hightemperaturesoldering:260°C/10secondsatterminals ?GlasspackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification ?IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives

DIOTECH

Diotech Company.

C3V3

SOT23SILICONPLANARVOLTAGEREGULATORDIODES

Zetex

Zetex Semiconductors

C3V3PH

500mWZenerDiode

Features ◇Fastswitchingspeed ◇Generalpurposerectification ◇Siliconepitaxialplanarconstruction

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司

CESD3V3AP

Uni-directionESDProtectionDiode

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

CFTVS3V3B

SURFACEMOUNTSILICONBI-DIRECTIONALTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導體

CMATVS3V3

SURFACEMOUNTSILICONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導體

CMATVS3V3

SURFACEMOUNTSILICONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORS

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導體

CMATVS3V3

3.3Vand5.0VTransientVoltageSuppressors

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導體

CMDZ3V3

SUPERminiZENERDIODE2.4VOLTSTHRU47VOLTS250mW,5TOLERANCE

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMDZ2V4SeriesZenerDiodeisahighqualityvoltageregulatorinanepoxy-moldedSUPERmini?package,designedforapplicationsrequiringlowleakage. MARKINGCODE:SEEMARKINGCODESONELECTRICALCHARACTERISTICSTABLE

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導體

CMDZ3V3

SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODE

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    ACPDQC3V3R-HF

  • 制造商:

    Comchip Technology

  • 類別:

    電路保護 > TVS - 二極管

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 類型:

    齊納

  • 電壓 - 反向斷態(tài)(典型值):

    3.3V(最大)

  • 電壓 - 擊穿(最小值):

    5V

  • 不同 Ipp 時電壓 - 箝位(最大值):

    18V

  • 電流 - 峰值脈沖 (10/1000μs):

    2A(8/20μs)

  • 功率 - 峰值脈沖:

    36W

  • 電源線路保護:

  • 應用:

    汽車級

  • 不同頻率時電容:

    18pF @ 1MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    0402(1006 公制)

  • 供應商器件封裝:

    0402C/SOD-923F

  • 描述:

    TVS DIODE 3.3VWM 18VC 0402C

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多ACPDQC3V3R-HF供應商 更新時間2024-11-5 8:00:00