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CEM9926

DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

Feature ●20V/,6A,RDS(ON)=30mΩ(MAX)@VGS=4.5V.RDS(ON)=40mΩ(MAX)@VGS=2.5V. ●SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●ReliableandRugged. ●SOP-8forSurfaceMountPackage.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEM9926

DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

CEM9926

DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Feature ●20V/6A,RDS(ON)=33mΩ(MAX)@VGS=4.5V.RDS(ON)=50mΩ(MAX)@VGS=2.5V. ●SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●ReliableandRugged. ●SOP-8forSurfaceMountPackage. Applications ●LI-IONProtectionCircuit

ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多ACE9926B供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-27 13:35:00

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