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A2G22S160-01SR3

1800–2200 MHz, 32 W AVG., 48 V AIRFAST RF POWER GaN TRANSISTOR

Features ?HighTerminalImpedancesforOptimalBroadbandPerformance ?DesignedforDigitalPredistortionErrorCorrectionSystems ?OptimizedforDohertyApplications

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

A2G22S160-01SR3

RF Power GaN Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

A2G22S160-01SR3

Package:NI-400S-2S;包裝:卷帶(TR) 類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:IC TRANS RF LDMOS

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    A2G22S160-01SR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 頻率:

    2.11GHz

  • 增益:

    19.6dB

  • 功率 - 輸出:

    32W

  • 封裝/外殼:

    NI-400S-2S

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-400S-2S

  • 描述:

    IC TRANS RF LDMOS

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多A2G22S160-01SR3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-17 13:52:00