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MTB20N20E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.16Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MTB20N20E

N??hannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

MTB20N20E

TMOSPOWERFET20AMPERES200VOLTS

TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithhigherpowerandlowerRDS(on)capabilities.ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhigh

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTP20N20

TMOSPOWERFET20AMPERES200VOLTSRDS(on)=0.16OHM

TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforlowv

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTP20N20E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

MTP20N20E

TMOSPOWERFET20AMPERES200VOLTSRDS(on)=0.16OHM

TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforlowv

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTP20N20E

N??hannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

SSFP20N20

StarMOSTPowerMOSFET

Good-Ark

GOOD-ARK Electronics

STD20N20

N-CHANNEL200V-0.10OHM-18ATO-220/TO-220FP/DPAKLOWGATECHARGESTripFETIIMOSFET

DESCRIPTION ThisMOSFETseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.Itisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhigh-efficiencyisolatedDC-DCconverters. GeneralFeatures ■TYPICALRDS(

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STF20N20

N-CHANNEL200V-0.10OHM-18ATO-220/TO-220FP/DPAKLOWGATECHARGESTripFETIIMOSFET

DESCRIPTION ThisMOSFETseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.Itisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhigh-efficiencyisolatedDC-DCconverters. GeneralFeatures ■TYPICALRDS(

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

產品屬性

  • 產品編號：

    A20N20MP

  • 制造商：

    Hoffman Enclosures, Inc.

  • 類別：

    盒子，外殼，機架 > 盒組件

  • 包裝：

    散裝

  • 類型：

    面板

  • 特性：

    安裝硬件

  • 配套使用/相關產品：

    外殼

  • 大小 / 尺寸：

    17.000" 長 x 18.500" 寬（431.80mm x 469.90mm）

  • 顏色：

    白色

  • 材料：

    金屬 - 鋼

  • 描述：

    PANEL N1 17.00X18.50

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Hoffman
2020+
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Hoffman
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NA
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TO-3P
6000
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TO-3P
25000
只做原裝進口現貨,專注配單
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開發(fā)板和工具包
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更多A20N20MP供應商 更新時間2025-3-28 10:18:00

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