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74HCT30-Q100中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

74HCT30-Q100
廠商型號(hào)

74HCT30-Q100

功能描述

8-input NAND gate

文件大小

229.61 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-19 14:12:00

74HCT30-Q100規(guī)格書(shū)詳情

1. General description

The 74HC30-Q100; 74HCT30-Q100 is an 8-input NAND gate. Inputs include clamp diodes. This

enables the use of current limiting resistors to interface inputs to voltages in excess of VCC.

This product has been qualified to the Automotive Electronics Council (AEC) standard Q100

(Grade 1) and is suitable for use in automotive applications.

2. Features and benefits

? Automotive product qualification in accordance with AEC-Q100 (Grade 1)

? Specified from -40 °C to +85 °C and from -40 °C to +125 °C

? Wide supply voltage range from 2.0 V to 6.0 V

? CMOS low power dissipation

? High noise immunity

? Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78 Class II Level B

? Complies with JEDEC standards:

? JESD8C (2.7 V to 3.6 V)

? JESD7A (2.0 V to 6.0 V)

? Input levels:

? For 74HC30-Q100: CMOS level

? For 74HCT30-Q100: TTL level

? ESD protection:

? MIL-STD-883, method 3015 exceeds 2000 V

? HBM JESD22-A114F exceeds 2000 V

? MM JESD22-A115-A exceeds 200 V (C = 200 pF, R = 0 Ω)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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