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7413WS	文件：154.43 Kbytes Page：2 Pages	MachFlex?, 61G C #18 Str BC, PVC-NYL Ins, OA TC Brd, TPE Jkt, 1000V WTTC, 600V TC-ER ProductDescription MachFlex?forHighFlex,6+1GConductor18AWG(16x30)BareCopper,PVC-NYLInsulation,OverallTinnedCopperBraid(85)Shield,TPEOuterJacket, 1000VWTTC,600VTC-ER	BELDENBelden Inc. 百通電纜設計科技有限公司	BELDEN
7413WS-0601000	文件：154.43 Kbytes Page：2 Pages	MachFlex?, 61G C #18 Str BC, PVC-NYL Ins, OA TC Brd, TPE Jkt, 1000V WTTC, 600V TC-ER ProductDescription MachFlex?forHighFlex,6+1GConductor18AWG(16x30)BareCopper,PVC-NYLInsulation,OverallTinnedCopperBraid(85)Shield,TPEOuterJacket, 1000VWTTC,600VTC-ER	BELDENBelden Inc. 百通電纜設計科技有限公司	BELDEN
7413WS-060250	文件：154.43 Kbytes Page：2 Pages	MachFlex?, 61G C #18 Str BC, PVC-NYL Ins, OA TC Brd, TPE Jkt, 1000V WTTC, 600V TC-ER ProductDescription MachFlex?forHighFlex,6+1GConductor18AWG(16x30)BareCopper,PVC-NYLInsulation,OverallTinnedCopperBraid(85)Shield,TPEOuterJacket, 1000VWTTC,600VTC-ER	BELDENBelden Inc. 百通電纜設計科技有限公司	BELDEN
7413WS 0601000	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：線軸類別：電纜，電線多芯導線描述：CBL 7COND 18AWG SHLD	BELDENBelden Inc. 百通電纜設計科技有限公司	BELDEN
7413WS 060250	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：線軸類別：電纜，電線多芯導線描述：CBL 7COND 18AWG SHLD	BELDENBelden Inc. 百通電纜設計科技有限公司	BELDEN
AM7413P	文件：409.49 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel100-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AO7413	文件：219.28 Kbytes Page：5 Pages	20VP-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
AO7413	文件：114.19 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO7413usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge,andoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V,inthesmallSOT323footprint.Itcanbeusedforawidevarietyofapplications,includingloadswitching,lowcurrentinvertersandlow	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
AO7413L	文件：114.19 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO7413usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge,andoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V,inthesmallSOT323footprint.Itcanbeusedforawidevarietyofapplications,includingloadswitching,lowcurrentinvertersandlow	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
HD7413	文件：143.51 Kbytes Page：4 Pages	TTLHD74/HD74SSeries	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
IRF7413	文件：422.14 Kbytes Page：8 Pages	GenerationVTechnology GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance N-ChannelMosfet SurfaceMount AvailableinTape&Reel Dynamicdv/dtRating FastSwitching 100RgTested Lead-Free Application Features VDS(V)=30V RDS(ON)12m(VGS=10V) RDS(ON)17m(VGS=4.5V)	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導體廣東友臺半導體有限公司(簡稱UMW?)	UMW
IRF7413	文件：1.84902 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=12A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
IRF7413	文件：123.19 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Id=12A) SMPSMOSFET Benefits ?LowGatetoDrainChargetoReduce SwitchingLosses ?FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ?FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ?HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRF7413	文件：394.37 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET Application GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance N-ChannelMosfet SurfaceMount AvailableinTape&Reel Dynamicdv/dtRating FastSwitching 100RgTested Lead-Free Features VDS(V)=30V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導體	EVVOSEMI
IRF7413A	文件：116.16 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=0.0135ohm) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF7413GPBF	文件：264.75 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRF7413GTRPBF	文件：264.75 Kbytes Page：9 Pages	GenerationVTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF7413PBF	文件：211.18 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF7413PBF	文件：263.63 Kbytes Page：9 Pages	ULTARLOWONRESISTANCE	IRF International Rectifier	IRF
IRF7413QPBF	文件：257.48 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheseHEXFET?PowerMOSFETsinSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveaval	IRF International Rectifier	IRF

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更多7413WS供應商更新時間2024-10-23 10:08:00

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