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71V65803S150PFG

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT? SRAMs ZBT? Feature 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandreadcycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V65803S150PFG

Package：100-LQFP；包裝：卷帶（TR） 類(lèi)別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V65803S150PFG8

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT? SRAMs ZBT? Feature 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandreadcycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V65803S150PFGI

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT? SRAMs ZBT? Feature 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandreadcycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V65803S150PFGI8

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT? SRAMs ZBT? Feature 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandreadcycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V65803S150PFGI

Package：100-LQFP；包裝：卷帶（TR） 類(lèi)別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V65803S150PFGI8

Package：100-LQFP；包裝：卷帶（TR） 類(lèi)別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

IDT71V65803S150BG

256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V65803S150BGI

256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V65803S150BQ

256Kx36,512Kx183.3VSynchronousZBTSRAMs

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    71V65803S150PFG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類(lèi)別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，SDR（ZBT）

  • 存儲(chǔ)容量：

    9Mb（512K x 18）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    100-LQFP

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    100-TQFP（14x14）

  • 描述：

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IDT, Integrated Device Technol
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更多71V65803S150PFG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-31 10:02:00

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