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71V65703S75BG集成電路（IC）存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

71V65703S75BG
廠商型號(hào)

71V65703S75BG
參數(shù)屬性

71V65703S75BG 封裝/外殼為119-BGA；包裝為托盤；類別為集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA
功能描述

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT? SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Flow-Through Outputs
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA
文件大小

311.56 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

27 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱

RENESAS【瑞薩】

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2024-11-20 22:59:00

71V65703S75BG規(guī)格書詳情

Features

◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations

◆ Supports high performance system speed - 100 MHz

(7.5 ns Clock-to-Data Access)

◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read

cycles

◆ Internally synchronized output buffer enable eliminates the

need to control OE

◆ Single R/W (READ/WRITE) control pin

◆ 4-word burst capability (Interleaved or linear)

◆ Individual byte write (BW1 - BW4) control (May tie active)

◆ Three chip enables for simple depth expansion

◆ 3.3V power supply (±5)

◆ 3.3V (±5) I/O Supply (VDDQ)

◆ Power down controlled by ZZ input

◆ Packaged in a JEDEC standard 100-pin plastic thin quad

flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch

ball grid array (fBGA)

◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

◆ Green parts available, see ordering information

71V65703S75BG屬于集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的71V65703S75BG存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    71V65703S75BG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，SDR（ZBT）

  • 存儲(chǔ)容量：

    9Mb（256K x 36）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    119-BGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    119-PBGA（14x22）

  • 描述：

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
RENESAS(瑞薩)/IDT
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