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71V65603S100BQGI8

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT? SRAMs ZBT? Feature 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

Features ◆256Kx36,512Kx18memoryconfigurations ◆Supportshighperformancesystemspeed-150MHz (3.8nsClock-to-DataAccess) ◆ZBTTMFeature-Nodeadcyclesbetweenwriteandreadcycles ◆Internallysynchronizedoutputbufferenableeliminatesthe needtocontrolOE ◆SingleR/W(

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

71V65603S100BQGI8

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：165-TBGA 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    71V65603S100BQGI8

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術：

    SRAM - 同步，SDR（ZBT）

  • 存儲容量：

    9Mb（256K x 36）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    165-TBGA

  • 供應商器件封裝：

    165-CABGA（13x15）

  • 描述：

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA

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更多71V65603S100BQGI8供應商 更新時間2025-1-1 13:02:00

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