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71V546S100PFGI8集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

71V546S100PFGI8
廠商型號(hào)

71V546S100PFGI8

參數(shù)屬性

71V546S100PFGI8 封裝/外殼為100-LQFP;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

功能描述

128K x 36, 3.3V Synchronous SRAM with ZBT? Feature Burst Counter and Pipelined Outputs

封裝外殼

100-LQFP

文件大小

450.11 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

22 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

RENESAS瑞薩

中文名稱(chēng)

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-4 14:13:00

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71V546S100PFGI8規(guī)格書(shū)詳情

Features

◆ 128K x 36 memory configuration, pipelined outputs

◆ Supports high performance system speed - 133 MHz

(4.2 ns Clock-to-Data Access)

◆ ZBTTM Feature - No dead cycles between write and read

cycles

◆ Internally synchronized registered outputs eliminate the

need to control OE

◆ Single R/W (READ/WRITE) control pin

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    71V546S100PFGI8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類(lèi)別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 同步,SDR(ZBT)

  • 存儲(chǔ)容量:

    4.5Mb(128K x 36)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    100-LQFP

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    100-TQFP(14x20)

  • 描述:

    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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