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71V35761S200PFG集成電路（IC）存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
71V35761S200PFG |
| 參數(shù)屬性 | 71V35761S200PFG 封裝/外殼為100-LQFP；包裝為托盤；類別為集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
| 功能描述 | 128K x 36 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle Deselect |
| 文件大小 |
319.72 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
23 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-11-20 10:18:00 |
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更多71V35761S200PFG規(guī)格書詳情
Features
◆ 128K x 36 memory configurations
◆ Supports high system speed:
Commercial:
– 200MHz 3.1ns clock access time
Commercial and Industrial:
– 183MHz 3.3ns clock access time
– 166MHz 3.5ns clock access time
◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode
◆ 3.3V core power supply
◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte write
enable (BWE), and byte writes (BWx)
71V35761S200PFG屬于集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的71V35761S200PFG存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
71V35761S200PFG
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
- 包裝：
托盤
- 存儲(chǔ)器類型：
易失
- 存儲(chǔ)器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 同步，SDR
- 存儲(chǔ)容量：
4.5Mb（128K x 36）
- 存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
- 電壓 - 供電：
3.135V ~ 3.465V
- 工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
100-LQFP
- 供應(yīng)商器件封裝：
100-TQFP（14x14）
- 描述：
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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