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71V124SA10TYG集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

71V124SA10TYG
廠商型號

71V124SA10TYG

參數(shù)屬性

71V124SA10TYG 封裝/外殼為32-BSOJ(0.300",7.62mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

功能描述

3.3V CMOS Static RAM1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout

封裝外殼

32-BSOJ(0.300",7.62mm 寬)

文件大小

192.06 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-3-10 15:23:00

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71V124SA10TYG規(guī)格書詳情

Features

◆ 128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM

◆ JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for

reduced noise

◆ Equal access and cycle times

– Commercial: 10/12/15ns

– Industrial: 10/12/15ns

◆ One Chip Select plus one Output Enable pin

◆ Inputs and outputs are LVTTL-compatible

◆ Single 3.3V supply

◆ Low power consumption via chip deselect

◆ Available in a 32-pin 300- and 400-mil Plastic SOJ, and

32-pin Type II TSOP packages

◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

◆ Green parts available, see ordering information

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    71V124SA10TYG

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 異步

  • 存儲容量:

    1Mb(128K x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    10ns

  • 電壓 - 供電:

    3.15V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    32-BSOJ(0.300",7.62mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    32-SOJ

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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