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71V124SA10PHGI集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
71V124SA10PHGI |
參數(shù)屬性 | 71V124SA10PHGI 封裝/外殼為32-SOIC(0.400",10.16mm 寬);包裝為管件;類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II |
功能描述 | 3.3V CMOS Static RAM1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout |
文件大小 |
192.06 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-11-1 14:08:00 |
71V124SA10PHGI規(guī)格書詳情
Features
◆ 128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM
◆ JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for
reduced noise
◆ Equal access and cycle times
– Commercial: 10/12/15ns
– Industrial: 10/12/15ns
◆ One Chip Select plus one Output Enable pin
◆ Inputs and outputs are LVTTL-compatible
◆ Single 3.3V supply
◆ Low power consumption via chip deselect
◆ Available in a 32-pin 300- and 400-mil Plastic SOJ, and
32-pin Type II TSOP packages
◆ Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
◆ Green parts available, see ordering information
71V124SA10PHGI屬于集成電路(IC) > 存儲器。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的71V124SA10PHGI存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
71V124SA10PHGI
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
管件
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM - 異步
- 存儲容量:
1Mb(128K x 8)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
10ns
- 電壓 - 供電:
3.15V ~ 3.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
32-SOIC(0.400",10.16mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:
32-TSOP II
- 描述:
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞薩)/IDT |
1921+ |
TSOPII-32 |
3575 |
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RENESAS(瑞薩)/IDT |
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TSOPII-32 |
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IDT |
23+ |
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7917 |
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RENESAS(瑞薩)/IDT |
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RENESAS(瑞薩)/IDT |
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