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71T75802S200BG8集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
71T75802S200BG8 |
參數屬性 | 71T75802S200BG8 封裝/外殼為119-BGA;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產品描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA |
功能描述 | 2.5V Synchronous ZBT SRAMs I/O, Burst Counter Pipelined Outputs |
文件大小 |
260.17 Kbytes |
頁面數量 |
26 頁 |
生產廠商 | Integrated Device Technology, Inc. |
企業(yè)簡稱 |
IDT |
中文名稱 | Integrated Device Technology, Inc.官網 |
原廠標識 | |
數據手冊 | |
更新時間 | 2024-12-29 14:20:00 |
相關芯片規(guī)格書
更多產品屬性
- 產品編號:
71T75802S200BG8
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
SRAM
- 技術:
SRAM - 同步,SDR(ZBT)
- 存儲容量:
18Mb(1M x 18)
- 存儲器接口:
并聯
- 電壓 - 供電:
2.375V ~ 2.625V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
119-BGA
- 供應商器件封裝:
119-PBGA(14x22)
- 描述:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 119PBGA
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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