71256SA25YG_集成電路（IC）存儲器-Renesas Electronics America Inc

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405+	￥20.65746

廠家型號：
71256SA25YG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
庫存數(shù)量：
0
類別：
集成電路（IC）存儲器
封裝外殼：
28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）
包裝：
卷帶（TR）
安裝類型：
表面貼裝型
更新時間：
2025-1-4 17:00:00

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原廠料號：71256SA25YG品牌：Renesas Electronics America Inc

資料說明：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ

71256SA25YG是集成電路（IC） > 存儲器。制造商Renesas Electronics America Inc生產(chǎn)封裝28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）的71256SA25YG存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

芯片型號：
71256sa25yg
規(guī)格書：
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資料說明：
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
71256SA25YG
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
卷帶（TR）
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 異步
存儲容量：
256Kb（32K x 8）
存儲器接口：
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁：
25ns
電壓 - 供電：
4.5V ~ 5.5V
工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：
28-SOJ
描述：
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ

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71256SA25YG_集成電路（IC） 存儲器-Renesas Electronics America Inc

71256SA25YG

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