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71124S20YG8集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
71124S20YG8 |
| 參數(shù)屬性 | 71124S20YG8 封裝/外殼為32-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ |
| 功能描述 | CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout |
| 封裝外殼 | 32-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬） |
| 文件大小 |
188.35 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
9 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-23 18:43:00 |
| 人工找貨 | 71124S20YG8價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
71124S20YG8規(guī)格書詳情
Features
◆ 128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM
◆ JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for
reduced noise.
◆ Equal access and cycle times
– Commercial: 12/15/20ns
– Industrial: 15/20ns
◆ One Chip Select plus one Output Enable pin
◆ Bidirectional inputs and outputs directly TTL-compatible
◆ Low power consumption via chip deselect
◆ Available in a 32-pin 400 mil Plastic SOJ.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
71124S20YG8
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 存儲(chǔ)器類型：
易失
- 存儲(chǔ)器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 異步
- 存儲(chǔ)容量：
1Mb（128K x 8）
- 存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：
20ns
- 電壓 - 供電：
4.5V ~ 5.5V
- 工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
32-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：
32-SOJ
- 描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
JRC |
23+ |
SOP |
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