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70V9089L12PFGI集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
70V9089L12PFGI |
參數(shù)屬性 | 70V9089L12PFGI 封裝/外殼為100-LQFP;包裝為托盤;類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 512KBIT PARALLEL 100TQFP |
功能描述 | HIGH-SPEED 3.3V 64/32K x 8 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
文件大小 |
514.85 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
20 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-11-8 10:57:00 |
70V9089L12PFGI規(guī)格書詳情
Features:
◆ True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
◆ High-speed clock to data access
– Commercial: 7.5ns (max.)
– Industrial: 12ns (max.)
◆ Low-power operation
– IDT70V9089/79L
Active: 429mW (typ.)
Standby: 1.32mW (typ.)
◆ Flow-Through or Pipelined output mode on either port via
the FT/PIPE pin
◆ Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
70V9089L12PFGI屬于集成電路(IC) > 存儲器。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的70V9089L12PFGI存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
70V9089L12PFGI
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
托盤
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM - 雙端口,同步
- 存儲容量:
512Kb(64K x 8)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 電壓 - 供電:
3V ~ 3.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
100-LQFP
- 供應(yīng)商器件封裝:
100-TQFP(14x14)
- 描述:
IC SRAM 512KBIT PARALLEL 100TQFP
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Renesas Electronics Corporatio |
23+/24+ |
100-LQFP |
8600 |
只供原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨+可訂貨 |
詢價 | ||
Renesas Electronics America In |
24+ |
100-LQFP |
9350 |
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價 | ||
IDT |
1931+ |
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IDT |
22+ |
NA |
1186 |
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IDT, Integrated Device Technol |
21+ |
100-TQFP(14x14) |
56200 |
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Integrated Device Technology |
2022+ |
原廠原包裝 |
8600 |
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RENESAS(瑞薩電子) |
22+ |
NA |
500000 |
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IDT |
20+ |
IC |
45 |
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