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70V659S10BCG集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
70V659S10BCG |
參數(shù)屬性 | 70V659S10BCG 封裝/外殼為256-LBGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA |
功能描述 | HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
文件大小 |
321.08 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
26 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-11-7 23:00:00 |
70V659S10BCG規(guī)格書詳情
Features
◆ True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
◆ High-speed access
– Commercial: 10/12/15ns (max.)
– Industrial: 12ns (max.)
◆ Dual chip enables allow for depth expansion without
external logic
◆ IDT70V659/58/57 easily expands data bus width to 72 bits
or more using the Master/Slave select when cascading
more than one device
◆ M/S = VIH for BUSY output flag on Master,
M/S = VIL for BUSY input on Slave
◆ Busy and Interrupt Flags
◆ On-chip port arbitration logic
70V659S10BCG屬于集成電路(IC) > 存儲器。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的70V659S10BCG存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
70V659S10BCG
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
托盤
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
SRAM
- 技術(shù):
SRAM - 雙端口,異步
- 存儲容量:
4.5Mb(128K x 36)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
10ns
- 電壓 - 供電:
3.15V ~ 3.45V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
256-LBGA
- 供應(yīng)商器件封裝:
256-CABGA(17x17)
- 描述:
IC SRAM 4.5MBIT PAR 256CABGA
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞薩)/IDT |
23+ |
CABGA256(17x17) |
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