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70V657S12BFGI	文件：321.08 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V659/58/57easilyexpandsdatabuswi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70V657S12BFGI	文件：234.54 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70V657S12BFGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤封裝/外殼：208-LFBGA 類別：集成電路（IC）存儲器描述：IC SRAM 1.125MBIT PAR 208FPBGA	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70V657S12BFGI8	文件：321.08 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V659/58/57easilyexpandsdatabuswi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70V657S12BFGI8	文件：234.54 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
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70V657S12BFI	文件：321.08 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V659/58/57easilyexpandsdatabuswi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70V657S12DRG	文件：234.54 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70V657S12DRG	文件：200.22 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
70V657S12DRGI	文件：321.08 Kbytes Page：26 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Features ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:10/12/15ns(max.) –Industrial:12ns(max.) ◆Dualchipenablesallowfordepthexpansionwithout externallogic ◆IDT70V659/58/57easilyexpandsdatabuswi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
70V657S12DRGI	文件：234.54 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT70V657S12BC	文件：316.76 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Description TheIDT70V659/58/57isahigh-speed128/64/32Kx36AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70V659/58/57isdesignedtobeusedasastand-alone4/2/1MbitDual-PortRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortRAMfor72-bit-or-morewordsystem.UsingtheIDTMASTERSLAVEDual-Por	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT70V657S12BCI	文件：316.76 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Description TheIDT70V659/58/57isahigh-speed128/64/32Kx36AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70V659/58/57isdesignedtobeusedasastand-alone4/2/1MbitDual-PortRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortRAMfor72-bit-or-morewordsystem.UsingtheIDTMASTERSLAVEDual-Por	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT70V657S12BF	文件：316.76 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Description TheIDT70V659/58/57isahigh-speed128/64/32Kx36AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70V659/58/57isdesignedtobeusedasastand-alone4/2/1MbitDual-PortRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortRAMfor72-bit-or-morewordsystem.UsingtheIDTMASTERSLAVEDual-Por	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT70V657S12BFI	文件：316.76 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Description TheIDT70V659/58/57isahigh-speed128/64/32Kx36AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70V659/58/57isdesignedtobeusedasastand-alone4/2/1MbitDual-PortRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortRAMfor72-bit-or-morewordsystem.UsingtheIDTMASTERSLAVEDual-Por	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT70V657S12DR	文件：316.76 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Description TheIDT70V659/58/57isahigh-speed128/64/32Kx36AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70V659/58/57isdesignedtobeusedasastand-alone4/2/1MbitDual-PortRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortRAMfor72-bit-or-morewordsystem.UsingtheIDTMASTERSLAVEDual-Por	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
IDT70V657S12DRI	文件：316.76 Kbytes Page：24 Pages	HIGH-SPEED3.3V128/64/32Kx36ASYNCHRONOUSDUAL-PORTSTATICRAM Description TheIDT70V659/58/57isahigh-speed128/64/32Kx36AsynchronousDual-PortStaticRAM.TheIDT70V659/58/57isdesignedtobeusedasastand-alone4/2/1MbitDual-PortRAMorasacombinationMASTER/SLAVEDual-PortRAMfor72-bit-or-morewordsystem.UsingtheIDTMASTERSLAVEDual-Por	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
70V657S12BFGI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
托盤
存儲器類型：
易失
存儲器格式：
SRAM
技術(shù)：
SRAM - 雙端口，異步
存儲容量：
1.125Mb（32K x 36）
存儲器接口：
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁：
12ns
電壓 - 供電：
3.15V ~ 3.45V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
208-LFBGA
供應(yīng)商器件封裝：
208-CABGA（15x15）
描述：
IC SRAM 1.125MBIT PAR 208FPBGA

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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瀚佳科技(深圳)有限公司	70V657S12BFGI	IDT, Integrated Device Technol	21+	208-FPBGA(15x15)	56200	一級代理/放心采購	詢價
深圳市艾宇欣科技有限公司	70V657S12BFGI	IDT	1931+	N/A	1186	加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗一站式購物	詢價
艾睿國際（香港）有限公司	70V657S12BFGI	RENESAS(瑞薩)/IDT	2117+	FPBGA-208(15x15)	315000	7個/托盤一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期	詢價
深圳市科雨電子有限公司	70V657S12BFGI	IDT	20+	BGA-208	14	就找我吧!--邀您體驗愉快問購元件!	詢價
訊運(深圳/上海)電子有限公司	70V657S12BFGI	RENESAS(瑞薩)/IDT	2021+	FPBGA-208(15x15)	499		詢價
萬三科技(深圳)有限公司	70V657S12BFGI	RENESAS(瑞薩電子)	22+	NA	500000	萬三科技,秉承原裝,購芯無憂	詢價
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更多70V657S12BFGI供應(yīng)商更新時間2024-11-7 15:52:00

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