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70V26L25G集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

70V26L25G
廠商型號

70V26L25G

參數屬性

70V26L25G 封裝/外殼為84-BPGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲器;產品描述:IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PGA

功能描述

HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM

封裝外殼

84-BPGA

文件大小

517.75 Kbytes

頁面數量

19

生產廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-25 10:18:00

70V26L25G規(guī)格書詳情

Features

◆ True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

reads of the same memory location

◆ High-speed access

– Commercial: 25/35/55ns (max.)

◆ Low-power operation

– IDT70V26S

Active: 300mW (typ.)

Standby: 3.3mW (typ.)

– IDT70V26L

Active: 300mW (typ.)

Standby: 660μW (typ.)

◆ Separate upper-byte and lower-byte control for multiplexed

bus compatibility

◆ IDT70V26 easily expands data bus width to 32 bits or more

using the Master/Slave select when cascading more than

one device

◆ M/S = VIH for BUSY output flag on Master

M/S = VIL for BUSY input on Slave

◆ On-chip port arbitration logic

◆ Full on-chip hardware support of semaphore signaling

between ports

◆ Fully asynchronous operation from either port

◆ TTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply

◆ Available in 84-pin PGA and PLCC

◆ Green parts available, see ordering information

產品屬性

  • 產品編號:

    70V26L25G

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術:

    SRAM - 雙端口,異步

  • 存儲容量:

    256Kb(16K x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    25ns

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    84-BPGA

  • 供應商器件封裝:

    84-PGA(27.94x27.94)

  • 描述:

    IC SRAM 256KBIT PARALLEL 84PGA

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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