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70V261S35PFG

HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM

Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:25/35ns(max.) –Industrial:25ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V261S Active:300mW(typ.) Standby:3.3mW(typ.) –IDT70V261L Active:300mW(typ.)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70V261S35PFG

HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V261S35PFG

HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V261S35PFG

包裝：托盤 封裝/外殼：100-LQFP 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70V261S35PFG8

HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM

Features ◆TrueDual-Portedmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speedaccess –Commercial:25/35ns(max.) –Industrial:25ns(max.) ◆Low-poweroperation –IDT70V261S Active:300mW(typ.) Standby:3.3mW(typ.) –IDT70V261L Active:300mW(typ.)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70V261S35PFG8

HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V261S35PFG8

HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V261S35PFGI

HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V261S35PFGI

HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V261S35PFGI8

HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM

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Integrated Device Technology, Inc.

70V261S35PFGI8

HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70V261S35PFG8

包裝：托盤 封裝/外殼：100-LQFP 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    70V261S35PFG

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 雙端口，異步

  • 存儲(chǔ)容量：

    256Kb（16K x 16）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    35ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    100-LQFP

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    100-TQFP

  • 描述：

    IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
IDT, Integrated Device Technol
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更多70V261S35PFG供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-7 10:04:00

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