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70V261L25PFGI8集成電路(IC)存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

70V261L25PFGI8
廠商型號(hào)

70V261L25PFGI8

參數(shù)屬性

70V261L25PFGI8 封裝/外殼為100-LQFP;包裝為托盤;類別為集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP

功能描述

HIGH-SPEED 3.3V 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP

文件大小

264.03 Kbytes

頁面數(shù)量

19

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2024-11-7 14:32:00

70V261L25PFGI8規(guī)格書詳情

Features

◆ True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

access of the same memory location

◆ High-speed access

– Commercial: 25/35ns (max.)

– Industrial: 25ns (max.)

◆ Low-power operation

– IDT70V261S

Active: 300mW (typ.)

Standby: 3.3mW (typ.)

– IDT70V261L

Active: 300mW (typ.)

Standby: 660μW (typ.)

◆ Separate upper-byte and lower-byte control for multiplexed

bus compatibility

◆ IDT70V261 easily expands data bus width to 32 bits or more

using the Master/Slave select when cascading more than

one device

◆ M/S = VIH for BUSY output flag on Master

M/S = VIL for BUSY input on Slave

◆ Interrupt Flag

◆ On-chip port arbitration logic

◆ Full on-chip hardware support of semaphore signaling

between ports

◆ Fully asynchronous operation from either port

◆ TTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply

◆ Available in a 100-pin TQFP, Thin Quad Plastic Flatpack

◆ Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available

for selected speed

70V261L25PFGI8屬于集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的70V261L25PFGI8存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    70V261L25PFGI8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 雙端口,異步

  • 存儲(chǔ)容量:

    256Kb(16K x 16)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    25ns

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    100-LQFP

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    100-TQFP(14x14)

  • 描述:

    IC SRAM 256KBIT PARALLEL 100TQFP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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