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70V25L20PFGI8集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料

70V25L20PFGI8
廠商型號

70V25L20PFGI8

參數(shù)屬性

70V25L20PFGI8 封裝/外殼為100-LQFP;包裝為管件;類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 128KBIT PARALLEL 100TQFP

功能描述

HIGH-SPEED 3.3V 8/4K x 18 DUAL-PORT 8/4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IC SRAM 128KBIT PARALLEL 100TQFP

文件大小

570.24 Kbytes

頁面數(shù)量

26

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-7 10:54:00

70V25L20PFGI8規(guī)格書詳情

Features

◆ True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

reads of the same memory location

◆ High-speed access

IDT70V35

– Commercial: 15ns (max.)

– Industrial: 20ns

IDT70V34

– Commercial: 15ns (max.)

IDT70V25

– Commercial: 15/35ns (max.)

– Industrial: 20/25ns

IDT70V24

– Commercial: 15//35/55ns (max.)

– Industrial: 15/20ns

◆ Low-power operation

– IDT70V35/34L

Active: 415mW (typ.)

Standby: 660μW (typ.)

70V25L20PFGI8屬于集成電路(IC) > 存儲器。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的70V25L20PFGI8存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    70V25L20PFGI8

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術:

    SRAM - 雙端口,異步

  • 存儲容量:

    128Kb(8K x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    20ns

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    100-LQFP

  • 供應商器件封裝:

    100-TQFP(14x14)

  • 描述:

    IC SRAM 128KBIT PARALLEL 100TQFP

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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