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70V24L20JGI集成電路（IC）存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
70V24L20JGI |
| 參數(shù)屬性 | 70V24L20JGI 封裝/外殼為84-LCC（J 形引線）；包裝為托盤；類別為集成電路（IC） > 存儲器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 64KBIT PARALLEL 84PLCC |
| 功能描述 | HIGH-SPEED 3.3V 8/4K x 18 DUAL-PORT 8/4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 文件大小 |
570.24 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
26 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-11-7 10:18:00 |
70V24L20JGI規(guī)格書詳情
Features
◆ True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
reads of the same memory location
◆ High-speed access
IDT70V35
– Commercial: 15ns (max.)
– Industrial: 20ns
IDT70V34
– Commercial: 15ns (max.)
IDT70V25
– Commercial: 15/35ns (max.)
– Industrial: 20/25ns
IDT70V24
– Commercial: 15//35/55ns (max.)
– Industrial: 15/20ns
◆ Low-power operation
– IDT70V35/34L
Active: 415mW (typ.)
Standby: 660μW (typ.)
70V24L20JGI屬于集成電路（IC） > 存儲器。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的70V24L20JGI存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
70V24L20JGI
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
托盤
- 存儲器類型：
易失
- 存儲器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 雙端口，異步
- 存儲容量：
64Kb（4K x 16）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字，頁：
20ns
- 電壓 - 供電：
3V ~ 3.6V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
84-LCC（J 形引線）
- 供應(yīng)商器件封裝：
84-PLCC（29.31x29.31）
- 描述：
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 84PLCC
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT |
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