70V07S55G集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
70V07S55G |
參數(shù)屬性 | 70V07S55G 封裝/外殼為68-BPGA;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 256KBIT PARALLEL 68PGA |
功能描述 | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
文件大小 |
526.69 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
20 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-11-7 10:44:00 |
70V07S55G規(guī)格書詳情
Features
◆ True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
◆ High-speed access
– Commercial: 25/35/55ns (max.)
– Industrial: 35ns (max.)
◆ Low-power operation
– IDT70V07S
Active: 300mW (typ.)
Standby: 3.3mW (typ.)
– IDT70V07L
Active: 300mW (typ.)
Standby: 660μW (typ.)
◆ Interrupt Flag
◆ IDT70V07 easily expands data bus width to 16 bits or more
using the Master/Slave select when cascading more than
one device
◆ M/S = VIH for BUSY output flag on Master
M/S = VIL for BUSY input on Slave
◆ On-chip port arbitration logic
◆ Full on-chip hardware support of semaphore signaling
between ports
◆ Fully asynchronous operation from either port
◆ TTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply
◆ Available in 68-pin PGA and a 80-pin TQFP
◆ Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available
for selected speeds
◆ Green parts available, see ordering information
70V07S55G屬于集成電路(IC) > 存儲器。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的70V07S55G存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
70V07S55G
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
SRAM
- 技術:
SRAM - 雙端口,異步
- 存儲容量:
256Kb(32K x 8)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
55ns
- 電壓 - 供電:
3V ~ 3.6V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
68-BPGA
- 供應商器件封裝:
68-PGA(29.46x29.46)
- 描述:
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 68PGA
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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