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70T3589S200BC

HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.4(200MHz)/3.6ns(166MHz)/ 4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:3.6ns(166MHz)/4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70T3589S200BC

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：256-LBGA 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256CABGA

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70T3589S200BC8

HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.4(200MHz)/3.6ns(166MHz)/ 4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:3.6ns(166MHz)/4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70T3589S200BCG

HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70T3589S200BCG

HIGH-SPEED SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70T3589S200BCG8

HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70T3589S200BCG8

HIGH-SPEED SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70T3589S200BCGI

HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70T3589S200BCGI

HIGH-SPEED SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

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Integrated Device Technology, Inc.

70T3589S200BCGI8

HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

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Integrated Device Technology, Inc.

70T3589S200BCGI8

HIGH-SPEED SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

70T3589S200BC8

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：256-LBGA 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256CABGA

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    70T3589S200BC

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 雙端口，同步

  • 存儲(chǔ)容量：

    2Mb（64K x 36）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    2.4V ~ 2.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    256-LBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    256-CABGA（17x17）

  • 描述：

    IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256CABGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
IDT, Integrated Device Technol
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更多70T3589S200BC供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-20 13:02:00

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