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70T3399S200BC8

HIGH-SPEED 2.5V 512/256/128K X 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

Features: ◆TrueDual-Portmemorycellswhichallowsimultaneous accessofthesamememorylocation ◆High-speeddataaccess –Commercial:3.4(200MHz)/3.6ns(166MHz)/ 4.2ns(133MHz)(max.) –Industrial:4.2ns(133MHz)(max.) ◆SelectablePipelinedorFlow-Throughoutputmode ◆Counterenab

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

70T3399S200BC8

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：256-LBGA 類(lèi)別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256CABGA

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    70T3399S200BC8

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類(lèi)別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 雙端口，同步

  • 存儲(chǔ)容量：

    2Mb（128K x 18）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    2.4V ~ 2.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    256-LBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    256-CABGA（17x17）

  • 描述：

    IC SRAM 2MBIT PARALLEL 256CABGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
IDT, Integrated Device Technol
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Integrated Device Technology
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原廠原包裝
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo)
 詢(xún)價(jià)
更多70T3399S200BC8供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-20 13:02:00

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