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6ED2231S12T中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

6ED2231S12T
廠商型號(hào)

6ED2231S12T

功能描述

1200 V Three Phase Gate Driver for IGBT/SiC with Integrated Bootstrap Diode and OCP

文件大小

1.53883 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

25 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Infineon英飛凌

中文名稱(chēng)

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-18 8:24:00

6ED2231S12T規(guī)格書(shū)詳情

Features

? Infineon Thin-Film-SOI technology

? Fully operational to +1200 V

? Optimized for IGBT (insulated gate bipolar transistor)

/ SiC(Silicon carbide) MOSFET

? Integrated Ultra‐fast Bootstrap Diode

? Floating channel designed for bootstrap operation

? Output source/sink current capability +0.35 A/‐0.65 A

? Tolerant to negative transient voltage up to -100 V

(Pulse width is up 700 ns) given by SOI-technology

? Undervoltage lockout for both channels

? 3.3 V, 5 V, and 15 V input logic compatible

? Over current protection with ±5 ITRIP threshold

? Fault reporting, automatic Fault clear and

Enable function on the same pin (RFE)

? Matched propagation delay for all channels

? Integrated 460 ns deadtime protection

? Shoot-through (cross-conduction) protection

? VCC support up to 25 V

? 2 kV HBM ESD

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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