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iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.7Ω(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
MOSFETsSiliconN-ChannelMOS Applications ?SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=1.35Ω(typ.) (2)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=640V) (3)Enhancementmode:Vth=2.5to4.0V(VDS=10V,ID=0.6mA) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝 | TOSHIBA | ||
Single-PhaseSingleIn-LineBridgeRectifiers FEATURES ?ULrecognitionfilenumberE54214 ?Thinsinglein-linepackage ?Glasspassivatedchipjunction ?Highsurgecurrentcapability ?Highcasedielectricstrengthof1500VRMS ?Solderdip260°C,40s ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/EC andWEEE2002/96/EC TYPICALAPP | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
Single-PhaseSingleIn-LineBridgeRectifiers | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
6A80GH
- 制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包裝：
卷帶（TR）
- 二極管類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 電流 - 平均整流 (Io)：
6A
- 速度：
標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）
- 不同?Vr、F 時電容：
60pF @ 4V，1MHz
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
R-6，軸向
- 供應(yīng)商器件封裝：
R-6
- 工作溫度 - 結(jié)：
-55°C ~ 150°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 800V 6A R-6
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Taiwan Semiconductor Corporati |
25+ |
R-6 |
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TAIWAN |
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TaiwanSemiconductor |
24+ |
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Taiwan Semiconductor |
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5000 |
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Diodes |
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R-6 |
7500 |
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DIODES/美臺 |
22+ |
R6 |
90000 |
正規(guī)代理渠道假一賠十 |
詢價 |
