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ADRF6601	文件：640.11 Kbytes Page：24 Pages	750MHzto1160MHzRxMixerwithIntegratedFractional-NPLLandVCO	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術(shù)有限公司	AD
ADRF6601	文件：834.01 Kbytes Page：32 Pages	1200MHzto3600MHzRxMixerwithIntegratedFractional-NPLLandVCO	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術(shù)有限公司	AD
ADRF6601-EVALZ	文件：640.11 Kbytes Page：24 Pages	750MHzto1160MHzRxMixerwithIntegratedFractional-NPLLandVCO	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導體技術(shù)有限公司	AD
AN-6601	文件：654.75 Kbytes Page：4 Pages	LowNoiseJFETAmplifiers	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
AO6601	文件：207.8 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO6601usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsformahigh-speedpowerinverter,suitableforamultitudeofapplications.StandardProductAO6601isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO6	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
AO6601	文件：2.06917 Mbytes Page：10 Pages	N-andP-ChannelV(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AO6601	文件：482.71 Kbytes Page：9 Pages	30VComplementaryMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
AO6601	文件：2.72053 Mbytes Page：7 Pages	ComplementaryTrenchMOSFET ■Features N-Channel: ●VDS(V)=30V ●ID=3.4A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
AO6601	文件：724.96 Kbytes Page：11 Pages	NPChannelMOSFET Features N-Ch: VDS(V)=30V ID=3.4A(VGS=10V) RDS(ON)60m(VGS=10V) RDS(ON)70m(VGS=4.5V) RDS(ON)90m(VGS=2.5V) P-Ch: VDS(V)=-30V ID=-2.3A(VGS=-10V) RDS(ON)115m(VGS=-10V) RDS(ON)150m(VGS=-4.5V) RDS(ON)200m(VGS=-2.5V)	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導體廣東友臺半導體有限公司(簡稱UMW?)	UMW
AO6601	文件：915.11 Kbytes Page：11 Pages	NPChannelMOSFET GeneralDescription TheAO6601usesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.The complementaryMOSFETsformahigh-speedpower inverter,suitableforamultitudeofapplications. Features N-Ch: VDS(V)=30V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導體	EVVOSEMI
AO6601-HF	文件：3.6273 Mbytes Page：7 Pages	ComplementaryTrenchMOSFET ■Features N-Channel: ●VDS(V)=30V ●ID=3.4A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
AO6601L	文件：207.8 Kbytes Page：7 Pages	ComplementaryEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO6601usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsformahigh-speedpowerinverter,suitableforamultitudeofapplications.StandardProductAO6601isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AO6	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
AWU6601	文件：622.02 Kbytes Page：14 Pages	HELP3TMBand1/WCDMA/TD-SCDMA3.4V/28.25dBmLinearPAModule	ANADIGICS ANADIGICS, Inc	ANADIGICS
CEB6601	文件：434.89 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-60V,-19A,RDS(ON)=86mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=125mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEB6601	文件：1.59421 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
CED6601	文件：358.8 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-60V,-16A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CED6601A	文件：428.04 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-16A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM6601	文件：345.33 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-60V,-4.3A,RDS(ON)=86mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=125mΩ@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CEM6601	文件：1.035069 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?100RgandUIStested	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
CEM6601A	文件：420.2 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -60V,-4A,RDS(ON)=86mW@VGS=-10V. RDS(ON)=125mW@VGS=-4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS

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詳細參數(shù)

型號：
6601-D
制造商：
3M Electronic Products Division
功能描述：
6601-D CONNECTOR LC MM HOT MELT DUPLEX 900 BUFFER WHITE/BEIGE

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	6601N	ON/安森美	23+	SOP-8	3000	一級代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	6601Q	N/A	23+		80000	專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨	詢價
深圳市安富世紀電子有限公司	6601Q	N/A	23+		80000	專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨	詢價
艾睿國際（香港）有限公司	6601R	AVAGO/安華高	2021+	QFN	100500	一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨	詢價
深圳市博浩通科技有限公司	6602	INTERSIL	23+	BGA	1056	全新原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	6602	FILTRONIC	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
上海金慶電子技術(shù)有限公司	6602	ApexToolGroup/CooperTool	新		5	全新原裝貨期兩周	詢價
上海市鑫鴻達電子	6602	Apex Tool Group/Cooper Tools	2022+		1	全新原裝貨期兩周	詢價
深圳市威爾健半導體有限公司	6602	ADI/亞德諾	23+	SOP8	69820	終端可以免費供樣,支持BOM配單!	詢價
深圳市一線半導體有限公司	6602.19.AB	HUBERSUHNER	24+	SMA	5		詢價

更多6601-D供應(yīng)商更新時間2024-11-18 17:30:00

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