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IDT6116LA120DB

CMOSSTATICRAM16K(2Kx8BIT)

DESCRIPTION: TheIDT6116SA/LAisa16,384-bithigh-speedstaticRAMorganizedas2Kx8.ItisfabricatedusingIDTshigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: ?High-speedaccessandchipselecttimes —Military:20/25/35/45/55/70/90/120/150ns(max.) —Commerc

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT6116LA120TDB

CMOSSTATICRAM16K(2Kx8BIT)

DESCRIPTION: TheIDT6116SA/LAisa16,384-bithigh-speedstaticRAMorganizedas2Kx8.ItisfabricatedusingIDTshigh-performance,high-reliabilityCMOStechnology. FEATURES: ?High-speedaccessandchipselecttimes —Military:20/25/35/45/55/70/90/120/150ns(max.) —Commerc

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Integrated Device Technology, Inc.

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    6116LA120TDB

  • 功能描述：

    靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Cypress Semiconductor

  • 存儲容量：

    16 Mbit

  • 組織：

    1 M x 16

  • 訪問時間：

    55 ns

  • 電源電壓-最大：

    3.6 V

  • 電源電壓-最?。?/span>

    2.2 V

  • 最大工作電流：

    22 uA

  • 最大工作溫度：

    + 85 C

  • 最小工作溫度：

    - 40 C

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    TSOP-48

  • 封裝：

    Tray

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多6116LA120TDB供應(yīng)商 更新時間2025-2-1 9:00:00

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