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600F110JT250XT

RF Power LDMOS Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

600F110JT250XT

RF Power GaN Transistor

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恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

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600F110JT250XT

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼:0805(2012 公制) 類別:電容器 陶瓷電容器 描述:CAP CER 11PF 250V C0G/NP0 0805

ATC

American Technical Ceramics Corp

600F110JT250XT

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼:0805(2012 公制) 類別:電容器 陶瓷電容器 描述:CAP CER 11PF 250V C0G/NP0 0805

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American Technical Ceramics Corp

ATC600F110JT250XT

RFPowerGaNTransistor

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    600F110JT250XT

  • 制造商:

    American Technical Ceramics

  • 類別:

    電容器 > 陶瓷電容器

  • 系列:

    ATC 600F

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 容差:

    ±5%

  • 電壓 - 額定:

    250V

  • 溫度系數(shù):

    C0G,NP0

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 125°C

  • 特性:

    高 Q 值,低損耗,超低 ESR

  • 應(yīng)用:

    射頻,微波,高頻,旁通,去耦

  • 安裝類型:

    表面貼裝,MLCC

  • 封裝/外殼:

    0805(2012 公制)

  • 大小 / 尺寸:

    0.079" 長 x 0.049" 寬(2.01mm x 1.24mm)

  • 厚度(最大值):

    0.051"(1.30mm)

  • 描述:

    CAP CER 11PF 250V C0G/NP0 0805

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多600F110JT250XT供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00