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55GN01MA-TL-E_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-雙極（BJT）-射頻-安森美半導體

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原廠料號：55GN01MA-TL-E品牌：onsemi

資料說明：RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3MCP

55GN01MA-TL-E是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商ONSEMI/安森美半導體生產(chǎn)封裝SC-70，SOT-323的55GN01MA-TL-E晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號：

    55gn01ma-tl-e

  • 規(guī)格書：

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  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導體公司

  • 資料說明：

    RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3MCP

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    55GN01MA-TL-E

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    10V

  • 頻率 - 躍遷：

    4.5GHz ~ 5.5GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    1.9dB @ 1GHz

  • 增益：

    10dB @ 1GHz

  • 功率 - 最大值：

    400mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 10mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    70mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-70，SOT-323

  • 供應商器件封裝：

    3-MCP

  • 描述：

    RF TRANS NPN 10V 5.5GHZ 3MCP

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
onsemi(安森美)
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