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HN4B102J

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

HN4B102J

TransistorSiliconPNP/NPNEpitaxialType(PCTProcess)

MOSGateDriveApplications SwitchingApplications ?Smallfootprintduetoasmallandthinpackage ?HighDCcurrentgain:PNPhFE=200to500(IC=-0.2A) :NPNhFE=200to500(IC=0.2A) ?Lowcollector-emittersaturation:PNPVCE(sat)=-0.20V

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    4B102P

  • 制造商:

    TE Connectivity

  • 功能描述:

    NEMA Terminal Blocks

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
MOLEX/莫仕
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原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道。可提供大量庫(kù)存,詳
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更多4B102P供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-13 11:16:00