3SK263-5-TG-E_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-FETMOSFET-射頻-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號(hào):3SK263-5-TG-E品牌:onsemi

資料說明:FET RF 15V 200MHZ CP4

3SK263-5-TG-E是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-253-4,TO-253AA的3SK263-5-TG-E晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號(hào):

    3sk263-5-tg-e

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明:

    FET RF 15V 200MHZ CP4

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    3SK263-5-TG-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    N 通道雙門

  • 頻率:

    200MHz

  • 增益:

    21dB

  • 額定電流(安培):

    30mA

  • 噪聲系數(shù):

    2.2dB

  • 封裝/外殼:

    TO-253-4,TO-253AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    4-CP

  • 描述:

    FET RF 15V 200MHZ CP4

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