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iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=350V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
N-Channel650V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司 | VBSEMI | ||
N-ChannelPowerMOSFETs | ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED. | ARTSCHIP | ||
N-ChannelPowerMOSFETs,3.0A,350-400V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspaedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversanddriversandotherpulsecircuits. ?LowRDs(on) ?VGS | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司 | Fairchild |
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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MOT |
23+ |
CAN |
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MOT |
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MOT |
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