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3DD7E

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 250V(Min)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

3DD7A

Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=50V(Min)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

3DD7B

Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=100V(Min)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

3DD7C

Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=150V(Min)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

3DD7D

SiliconNPNPowerTransistors

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

3DD7F

Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=300V(Min)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

3DD7G

Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=400V(Min)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    3DD7E

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    100V

  • 最大電流允許值：

    10A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    75W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    E-44

  • vtest：

    100

  • htest：

    999900

  • atest：

    10

  • wtest：

    75

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多3DD7E供應(yīng)商 更新時間2024-11-18 15:59:00

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