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3DD301B

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=50V(Min) ?Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V(Max)@IC=3A APPLICATIONS ?DesignedforB/WTVverticaloutputapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

3DD301C

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=100V(Min) ?Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.0V(Max)@IC=3A APPLICATIONS ?DesignedforB/WTVverticaloutputapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

3DD301D

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=150V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=3A APPLICATIONS ·DesignedforB/WTVverticaloutputapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號:

    3DD301A

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    行輸出 (HA)_電源用 (Reg)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    80V

  • 最大電流允許值:

    8A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

  • 最大耗散功率:

    50W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    50

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多3DD301A供應(yīng)商 更新時間2024-11-18 17:30:00