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3DD15

Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=100V(Min.)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

3DD15A

Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=60V(Min.)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

3DD15B

Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=100V(Min.)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

3DD15C

Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=150V(Min.)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

3DD15D

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=200V(Min.) ·DCCurrentGain- :hFE=30~250(Min.)@IC=2A ·Collector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=2.5A ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

3DD15D

SiliconNPNPowerTransistors

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    3DD15M

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （PA）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    50V

  • 最大電流允許值：

    5A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    2

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    50W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    E-44

  • vtest：

    50

  • htest：

    999900

  • atest：

    5

  • wtest：

    50

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
CHINA
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原裝現(xiàn)貨 實單可談
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更多3DD15M供應(yīng)商 更新時間2024-11-18 14:02:00

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